SCT2H12NZGC11の技術仕様
Rohm Semiconductor - SCT2H12NZGC11技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - SCT2H12NZGC11仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 900µA | |
| Vgs（最大） | +22V, -6V | |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PFM | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V | |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3PFM, SC-93-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 184 pF @ 800 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 18 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1700 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SCT2H12 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor SCT2H12NZGC11と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SCT2H12NZGC11 | SCT2750NYTB | SCT3030ALGC11 | SCT30N120 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V | 975mOhm @ 1.7A, 18V | 39mOhm @ 27A, 18V | 100mOhm @ 20A, 20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 900µA | 4V @ 630µA | 5.6V @ 13.3mA | 2.6V @ 1mA (Typ) |
| Vgs（最大） | +22V, -6V | +22V, -6V | +22V, -4V | +25V, -10V |
| パッケージ/ケース | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1700 V | 1700 V | 650 V | 1200 V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | 57W (Tc) | 262W (Tc) | 270W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PFM | TO-268 | TO-247N | HiP247™ |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 18 V | 17 nC @ 18 V | 104 nC @ 18 V | 105 nC @ 20 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 184 pF @ 800 V | 275 pF @ 800 V | 1526 pF @ 500 V | 1700 pF @ 400 V |
| 基本製品番号 | SCT2H12 | SCT2750 | SCT3030 | SCT30 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V | 18V | 18V | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Tc) | 5.9A (Tc) | 70A (Tc) | 40A (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
SCT2H12NZGC11 - Rohm SemiconductorのSCT2H12NZGC11 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
SCT2750NYTBRohm SemiconductorSICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorSICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT30N120STMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT500BSEMITELSCT2650STERSCTSCT2750NY TBLAPIS Technology
SCT30N120D2STMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT3040KLGC11Rohm SemiconductorSICFET N-CH 1200V 55A TO247NSCT2632STERSCTSCT2A10ASTERSCTSCT2H12NYLAPIS TechnologySCT264FSCTSCT3160KLGC11 MOSLAPIS TechnologySCT35N65G2VSTMicroelectronicsSCT3120ALGC11 MOSLAPIS TechnologySCT2650STESCTSCT30N120/SCTWA30N120STMicroelectronicsSCT3080ALGC11Rohm SemiconductorSICFET N-CH 650V 30A TO247N| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。