SCT2080KECの技術仕様
Rohm Semiconductor - SCT2080KEC技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - SCT2080KEC仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4.4mA | |
| Vgs（最大） | +22V, -6V | |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 117mOhm @ 10A, 18V | |
| 電力消費（最大） | 262W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2080 pF @ 800 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 106 nC @ 18 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SCT2080 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor SCT2080KECと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SCT2080KEC | SCT2160KEC | SCT20N120 | SCT2080KEHRC11 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics | Rohm Semiconductor |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Vgs（最大） | +22V, -6V | +22V, -6V | +25V, -10V | +22V, -6V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | SCT2080 | SCT2160 | SCT20 | SCT2080 |
| 運転温度 | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | 22A (Tc) | 20A (Tc) | 40A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V | 18V | 20V | 18V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 117mOhm @ 10A, 18V | 208mOhm @ 7A, 18V | 290mOhm @ 10A, 20V | 117mOhm @ 10A, 18V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4.4mA | 4V @ 2.5mA | 3.5V @ 1mA | 4V @ 4.4mA |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 電力消費（最大） | 262W (Tc) | 165W (Tc) | 175W (Tc) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | TO-247 | HiP247™ | TO-247N |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2080 pF @ 800 V | 1200 pF @ 800 V | 650 pF @ 400 V | 2080 pF @ 800 V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 106 nC @ 18 V | 62 nC @ 18 V | 45 nC @ 20 V | 106 nC @ 18 V |
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SCT2024CSTGSCTSCT2160KECRohm SemiconductorSICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2000CB-1SIBERCORESCT2024CQNGSCT2024CSSGSTCSCT2004SSOGSTARCHIPSSCT2001AS1GSCTSCT2120AFLAPIS TechnologySCT2080KEFOHMSCT2008SSSGSTARCHIPSSCT2008CSSGSCT
SCT2026CSTGSTMicroelectronicsSCT20N120STMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 20A HIP247SCT2080KECULAPIS TechnologySCT2160KELAPIS TechnologySCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorSICFET N-CH 1200V 40A TO247N
SCT2120AFCRohm SemiconductorSICFET N-CH 650V 29A TO220ABSCT2120AFCULAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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