RZM002P02T2Lの技術仕様
Rohm Semiconductor - RZM002P02T2L技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RZM002P02T2L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | VMT3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-723 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 115 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | RZM002 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RZM002P02T2Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RZM002P02T2L | RJK03K0DPA-00#J5A | NVD6495NLT4G | FCP099N65S3 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Renesas Electronics America Inc | onsemi | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | - | 50mOhm @ 10A, 10V | 99mOhm @ 15A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | - | 25A (Tc) | 30A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA | - | 2V @ 250µA | 4.5V @ 3mA |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | - | 100 V | 650 V |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | - | 83W (Tc) | 227W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±10V | - | ±20V | ±30V |
| シリーズ | - | * | Automotive, AEC-Q101 | SuperFET® III |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 115 pF @ 10 V | - | 1024 pF @ 25 V | 2480 pF @ 400 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | - | 4.5V, 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | VMT3 | - | DPAK | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | - | 35 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | RZM002 | - | NVD649 | FCP099 |
| パッケージ/ケース | SOT-723 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RZM002P02T2L - Rohm SemiconductorのRZM002P02T2L PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RJK03K0DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
RZM001P02T2L MOSLAPIS TechnologyNVD6495NLT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 25A DPAKFCP099N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
FDPF5N50NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4RZM002P02LAPIS Technology
FQPF16N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
IRLR8113TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 94A DPAKRZM001P02LAPIS TechnologyRQ3E075ATTBRohm SemiconductorMOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
AUIRF9540NInternational RectifierAUTOMOTIVE POWER MOSFET
AOT7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 600V 7A TO220RZM001P02T2LRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 100MA VMT3RZM002P02G T2LLAPIS TechnologyRZM002P02 T2LLAPIS TechnologyRZM001P02 T2LLAPIS TechnologyRZM001P02 MOSCJ| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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