RYC002N05T316の技術仕様
Rohm Semiconductor - RYC002N05T316技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RYC002N05T316仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 800mV @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SST3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 350mW (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 26 pF @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | RYC002 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RYC002N05T316と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RYC002N05T316 | BTS282Z E3180A | CSD23203W | AOD2922 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Infineon Technologies | Texas Instruments | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| シリーズ | - | TEMPFET® | NexFET™ | AlphaMOS |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | -6V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | 80A (Tc) | 3A (Ta) | 3.5A (Ta), 7A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 350mW (Tc) | 300W (Tc) | 750mW (Ta) | 5W (Ta), 17W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | 49 V | 8 V | 100 V |
| FET特長 | - | Temperature Sensing Diode | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | 6-UFBGA, DSBGA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | 6.5mOhm @ 36A, 10V | 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V | 140mOhm @ 5A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 800mV @ 1mA | 2V @ 240µA | 1.1V @ 250µA | 2.7V @ 250µA |
| 基本製品番号 | RYC002 | - | CSD23203 | AOD292 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SST3 | PG-TO220-7-180 | 6-DSBGA (1x1.5) | TO-252 (DPAK) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 26 pF @ 10 V | 4800 pF @ 25 V | 914 pF @ 4 V | 310 pF @ 50 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RYC002N05T316 - Rohm SemiconductorのRYC002N05T316 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RYC8620-1MZ0ATLAPIS TechnologyBTS282Z E3180AInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
RYC8240-2WMLittelfuse Inc.IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOIC
RYC8620-1MLittelfuse Inc.IC PWR SWITCH 1:2 PROT DUAL 8SOCSD23203WTexas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
RYC8502LRaychem Cable Protection/TE ConnectivityRYC8621-1MLittelfuse Inc.IC PWR SWITCH 1:2 PROT DL 8SOICRYC8220-2MLittelfuse Inc.IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8SOICRYC8620-2MLittelfuse Inc.IC PWR SWITCH 1:2 PROT DL 8SOICRYC8635-1MRaychem Cable Protection/TE ConnectivityRYC002N05LAPIS TechnologyRYC8220-1MRaychem Cable Protection/TE ConnectivityRYC002N05 T316LAPIS TechnologyRYC8630-2MLittelfuse Inc.IC PWR SWITCH 1:2 8SO
RYC8520HLittelfuse Inc.IC PWR SWTCH PRT SGL 1:1 SOT23-6RYC8220-4MLittelfuse Inc.IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8SOICRYC8210-3MRaychem Cable Protection/TE ConnectivityAOD2922Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 100V 3.5A/7A TO252| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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