RW1A030APT2CRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RW1A030APT2CR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RW1A030APT2CR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | -8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WEMT | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42mOhm @ 3A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2700 pF @ 6 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RW1A030 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RW1A030APT2CRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RW1A030APT2CR | RW1A025APT2CR | RW1C020UNT2R | RW1A020ZPT2R |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | -8V | -8V | ±10V | ±10V |
| 基本製品番号 | RW1A030 | RW1A025 | RW1C020 | RW1A020 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) | 2.5A (Ta) | 2A (Ta) | 2A (Ta) |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) | 400mW (Ta) | 400mW (Ta) | 400mW (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 12 V | 20 V | 12 V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42mOhm @ 3A, 4.5V | 62mOhm @ 2.5A, 4.5V | 105mOhm @ 2A, 4.5V | 105mOhm @ 2A, 4.5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2700 pF @ 6 V | 2000 pF @ 6 V | 180 pF @ 10 V | 770 pF @ 6 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | 16 nC @ 4.5 V | 2 nC @ 4.5 V | 6.5 nC @ 4.5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WEMT | 6-WEMT | 6-WEMT | 6-WEMT |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
RW1A030APT2CR - Rohm SemiconductorのRW1A030APT2CR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RW1A025AP T2CRLAPIS TechnologyRW1A025APT2CRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6RW1C015UNVBSEMIRW1A025ZP T2RLAPIS TechnologyRW1C025ZP T2CRLAPIS TechnologyRW1C025ZP T2RLAPIS TechnologyRW1C020UN T2RLAPIS TechnologyRW1C020UNLAPIS TechnologyRW1C020UNT2RRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 2A 6WEMTRW1A025APLAPIS TechnologyRW1C015UN T2RLAPIS TechnologyRW1A025ZPT2RLAPIS TechnologyRW1A020ZPT2RRohm SemiconductorMOSFET P-CH 12V 2A WEMT6RW1C025ZPLAPIS TechnologyRW1A025APT2CR MOSLAPIS TechnologyRW1C015UNT2RRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMTRW1A025ZPLAPIS TechnologyRW1C020UNFU7T2RLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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