RVQ040N05TRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RVQ040N05TR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RVQ040N05TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | 21V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 53mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 600mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 530 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.8 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 45 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RVQ040 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RVQ040N05TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RVQ040N05TR | FQP6N60C | SI4425DDY-T1-GE3 | FQA19N20C |
| メーカー | Rohm Semiconductor | onsemi | Vishay Siliconix | onsemi |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 45 V | 600 V | 30 V | 200 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | RVQ040 | FQP6 | SI4425 | FQA1 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | TO-220-3 | 8-SOIC | TO-3P |
| Vgs（最大） | 21V | ±30V | ±20V | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 530 pF @ 10 V | 810 pF @ 25 V | 2610 pF @ 15 V | 1080 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 53mOhm @ 4A, 10V | 2Ohm @ 2.75A, 10V | 9.8mOhm @ 13A, 10V | 170mOhm @ 10.9A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta) | 5.5A (Tc) | 19.7A (Tc) | 21.8A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| シリーズ | - | QFET® | TrenchFET® | QFET® |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.8 nC @ 5 V | 20 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 600mW (Ta) | 125W (Tc) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | 180W (Tc) |
RVQ040N05TR - Rohm SemiconductorのRVQ040N05TR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
FQP6N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3SI4425DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 19.7A 8SOFQA19N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 21.8A TO3P
RVQ040N05TR MOSLAPIS TechnologyRVQ040N05LAPIS Technology
IRF3703PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 210A TO220AB
PMPB20EN,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
NTMS4503NR2GonsemiMOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
APT5012JNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
AOTF22N50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3FAON6250Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 150V 13.5A/52A 8DFN
IRFP17N50LVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
IPB80N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 80A TO263-3RVQ040N05GZTRLAPIS Technology
FDMC6683PZonsemiMOSFET P-CH 20V 40A 8MLPRVQ040N05GZ/TRLAPIS TechnologyRVQ040N05/TRLAPIS TechnologyNP36P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 60V 36A TO263| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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