RV1C002UNT2CLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RV1C002UNT2CL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RV1C002UNT2CL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | VML0806 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2Ohm @ 150mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 100mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 3-SMD, No Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12 pF @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 150mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | RV1C002 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RV1C002UNT2CLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RV1C002UNT2CL | G1003B | RV1C001ZPT2L | SIHP8N50D-GE3 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Goford Semiconductor | Rohm Semiconductor | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±10V | ±30V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 100 V | 20 V | 500 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12 pF @ 10 V | 760 pF @ 50 V | 15 pF @ 10 V | 527 pF @ 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | - | 1.2V, 4.5V | 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2Ohm @ 150mA, 4.5V | 130mOhm @ 1A, 10V | 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V | 850mOhm @ 4A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA | 2V @ 250µA | 1V @ 100µA | 5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | VML0806 | SOT-23-3L | VML0806 | TO-220AB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 3-SMD, No Lead | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3-SMD, No Lead | TO-220-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 基本製品番号 | RV1C002 | - | RV1C001 | SIHP8 |
| 電力消費（最大） | 100mW (Ta) | 3.3W | 100mW (Ta) | 156W (Tc) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 150mA (Ta) | 3A | 100mA (Ta) | 8.7A (Tc) |
RV1C002UNT2CL - Rohm SemiconductorのRV1C002UNT2CL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RV1206FR-072MLYAGEORES SMD 2M OHM 1% 1/4W 1206
RV1S9160ACCSP-100V#SCO-NDRenesas Electronics CorporationG1003BGoford SemiconductorN100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1RV1107RV1C001ZPT2LRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 100MA VML0806RV1206FR-071M2LYAGEORES SMD 1.2M OHM 1% 1/4W 1206RV1S9160ACCSP-100V#SCORenesas Electronics CorporationRV1C002UN T2CLLAPIS Technology
RV1401(TE85LF)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraRV16YN15SB103TOCOSRV1C001ZP T2LLAPIS TechnologyRV1108AROCKCHIPRV1109ROCKCHIPRV1C002UNLAPIS TechnologyRV100F-30-4K1-B100KALPHASIHP8N50D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8.7A TO220ABRV1126ROCKCHIP
RV1206FR-071MLYageoRES SMD 1M OHM 1% 1/4W 1206| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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