RU1C001UNTCLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RU1C001UNTCL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RU1C001UNTCL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | UMT3F | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SC-85 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7.1 pF @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | RU1C001 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RU1C001UNTCLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RU1C001UNTCL | RU1C002ZPTCL | RU1C002UNTCL | RU1C001ZPTL |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | 150mW (Ta) | 150mW (Ta) | 150mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA | 1V @ 100µA | 1V @ 1mA | 1V @ 100µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | UMT3F | UMT3F | UMT3F | UMT3F |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V | 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7.1 pF @ 10 V | 115 pF @ 10 V | 25 pF @ 10 V | 15 pF @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | 1.2V, 4.5V | 1.2V, 2.5V | 1.2V, 4.5V |
| 基本製品番号 | RU1C001 | RU1C002 | RU1C002 | RU1C001 |
| パッケージ/ケース | SC-85 | SC-85 | SC-85 | SC-85 |
| Vgs（最大） | ±12V | ±10V | ±8V | ±10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100mA (Ta) | 200mA (Ta) | 200mA (Ta) | 100mA (Ta) |
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RU1C002ZPLAPIS TechnologyRU1C002ZPTCLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 200MA UMT3FRU1C002ZP TCLLAPIS TechnologyRU190N08SRU190N08QRU1C001UNLAPIS TechnologyRU190N08S-RRUICHIPSRU1C001ZPSKRU1C002UNTCLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 200MA UMT3FRU1C001ZPTLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 100MA UMT3FRU190N10QRU1E002SPLAPIS TechnologyRU190N08RRU190N10SRU1C001UNTCL MOSLAPIS TechnologyRU190N10RRU1C001ZP TLLAPIS TechnologyRU1C001UN TCLLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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