RSR025P03HZGTLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RSR025P03HZGTL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RSR025P03HZGTL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT3 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 98mOhm @ 2.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SC-96 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 460 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.4 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RSR025 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RSR025P03HZGTLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RSR025P03HZGTL | FQA13N80-F109 | IRF6619 | FQPF34N20L |
| メーカー | Rohm Semiconductor | onsemi | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 98mOhm @ 2.5A, 10V | 750mOhm @ 6.3A, 10V | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 75mOhm @ 8.75A, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | QFET® | HEXFET® | QFET® |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | 12.6A (Tc) | 30A (Ta), 150A (Tc) | 17.5A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 460 pF @ 10 V | 3500 pF @ 25 V | 5040 pF @ 10 V | 3900 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | SC-96 | TO-3P-3, SC-65-3 | DirectFET™ Isometric MX | TO-220-3 Full Pack |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT3 | TO-3PN | DIRECTFET™ MX | TO-220F-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 5V @ 250µA | 2.45V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 基本製品番号 | RSR025 | FQA13 | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.4 nC @ 5 V | 88 nC @ 10 V | 57 nC @ 4.5 V | 72 nC @ 5 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 800 V | 20 V | 200 V |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) | 300W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 55W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
FQA13N80-F109onsemiMOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PNIRF6619Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFETFQPF34N20LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
RSR010N10TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
SI8405DB-T1-E1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
IXFH10N100IXYSMOSFET N-CH 1KV 10A TO-247ADIPA65R400CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V TO220
DMP4051LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
STT4P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
IRL3714SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
DMPH4013SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506DMP4047SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 40V 20A TO252
ZDS020N60TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP
IRF3707PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 62A TO220ABRSR020N06TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 2A TSMT3IRFS3307ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
AOD444Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252SUP70060E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 131A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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