RSQ030P03TRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RSQ030P03TR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RSQ030P03TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.25W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 440 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RSQ030 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RSQ030P03TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RSQ030P03TR | IRF3205PBF | RSQ015P10TR | RSQ035P03TR |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Infineon Technologies | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 440 pF @ 10 V | 3247 pF @ 25 V | 950 pF @ 25 V | 780 pF @ 10 V |
| シリーズ | - | HEXFET® | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) | 110A (Tc) | 1.5A (Ta) | 3.5A (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 5 V | 146 nC @ 10 V | 17 nC @ 5 V | 9.2 nC @ 5 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| 基本製品番号 | RSQ030 | IRF3205 | RSQ015 | RSQ035 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-220-3 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 10V | 4V, 10V | 4V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 55 V | 100 V | 30 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 3A, 10V | 8mOhm @ 62A, 10V | 470mOhm @ 1.5A, 10V | 65mOhm @ 3.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.25W (Ta) | 200W (Tc) | 600mW (Ta) | 1.25W (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | TO-220AB | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) |
RSQ030P03TR - Rohm SemiconductorのRSQ030P03TR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RSQ045N03FRATRLAPIS TechnologyRSQ035P03LAPIS TechnologyIRF3205PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 110A TO220ABRSQ025P03/TRLAPIS TechnologyRSQ015P10TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6RSQ030P03/TRLAPIS TechnologyRSQ035P03TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6RSQ045N03TRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6RSQ025P03LAPIS Technology
IRLR7833Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A DPAKRSQ035P03/TRLAPIS TechnologyRSQ015N06TRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6RSQ025P03TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6RSQ025P02TLLAPIS TechnologyRSQ030P03LAPIS TechnologyRSQ045N03LAPIS TechnologyRSQ035N03TRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6RSQ015P10/TRLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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