RSD150N06TLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RSD150N06TL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RSD150N06TL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | CPT3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 20W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 930 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RSD150 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RSD150N06TLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RSD150N06TL | RSD175N10TL | RSD200N05TL | RSD131P10TL |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | RSD150 | RSD175 | RSD200 | RSD131 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 15A, 10V | 105mOhm @ 8.8A, 10V | 28mOhm @ 20A, 10V | 200mOhm @ 6.5A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 930 pF @ 10 V | 950 pF @ 25 V | 950 pF @ 10 V | 2400 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 20W (Tc) | 20W (Tc) | 20W (Tc) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 100 V | 45 V | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta) | 17.5A (Ta) | 20A (Ta) | 13A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | CPT3 | CPT3 | CPT3 | CPT3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 12 nC @ 5 V | 40 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
RSD140P06 TLLAPIS TechnologyRSD150N06 TLLAPIS TechnologyRSD200N10FRATLLAPIS TechnologyRSD175N10LAPIS TechnologyRSD175N10TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3RSD160P05LAPIS TechnologyRSD200N05TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 45V 20A CPT3RSD131P10TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 100V 13A CPT3
RSD150N06VBsemiRSD200N10LAPIS TechnologyRSD140P06FRATLLAPIS TechnologyRSD140P06LAPIS TechnologyRSD160P05FRATLLAPIS TechnologyRSD140P06-TLLAPIS TechnologyRSD201N10TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 100V 20A CPT3RSD140P06TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 60V 14A CPT3RSD150N06FMKTLLAPIS TechnologyRSD150N06FRATLLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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