RS1G150MNTBの技術仕様
Rohm Semiconductor - RS1G150MNTB技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RS1G150MNTB仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | LAPIS Technology | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.6mOhm @ 15A, 10V | |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 25W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 930 pF @ 20 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15A (Ta) | |
基本製品番号 | RS1G |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RS1G150MNTBと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | RS1G150MNTB | RS1G260MNTB | RS1G180MNTB | RS1E350BNTB |
メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
FET特長 | - | - | - | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
基本製品番号 | RS1G | RS1G | RS1G | RS1E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.6mOhm @ 15A, 10V | 3.3mOhm @ 26A, 10V | 7mOhm @ 18A, 10V | 1.7mOhm @ 35A, 10V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP | 8-HSOP | 8-HSOP | 8-HSOP |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 930 pF @ 20 V | 2988 pF @ 20 V | 1293 pF @ 20 V | 7900 pF @ 15 V |
シリーズ | - | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15A (Ta) | 26A (Ta) | 18A (Ta), 80A (Tc) | 35A (Ta) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15 nC @ 10 V | 44 nC @ 10 V | 19.5 nC @ 10 V | 185 nC @ 10 V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V | 40 V | 40 V | 30 V |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 25W (Tc) | 3W (Ta), 35W (Tc) | 3W (Ta), 30W (Tc) | 35W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
RS1G150MNTB - Rohm SemiconductorのRS1G150MNTB PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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