RRQ020P03TCRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RRQ020P03TCR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RRQ020P03TCR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.25W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 230 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RRQ020 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RRQ020P03TCRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RRQ020P03TCR | HAT2169H-EL-E | FDP040N06 | RRQ045P03TR |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Renesas Electronics America Inc | onsemi | Rohm Semiconductor |
| 電力消費（最大） | 1.25W (Ta) | 30W (Tc) | 231W (Tc) | 600mW (Ta) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 40 V | 60 V | 30 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 230 pF @ 10 V | 6650 pF @ 10 V | 8235 pF @ 25 V | 1350 pF @ 10 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | - | PowerTrench® | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | LFPAK | TO-220-3 | TSMT6 (SC-95) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) | 50A (Ta) | 120A (Tc) | 4.5A (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2 nC @ 5 V | 45 nC @ 4.5 V | 133 nC @ 10 V | 14 nC @ 5 V |
| 基本製品番号 | RRQ020 | HAT2169 | FDP040 | RRQ045 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 2.5V @ 1mA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4V, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SC-100, SOT-669 | TO-220-3 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 2A, 10V | 3.5mOhm @ 25A, 10V | 4mOhm @ 75A, 10V | 35mOhm @ 4.5A, 10V |
RRQ020P03TCR - Rohm SemiconductorのRRQ020P03TCR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RRQ030P03LAPIS TechnologyHAT2169H-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 40V 50A LFPAKFDP040N06onsemiMOSFET N-CH 60V 120A TO220-3RRQ045P03TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
AO4441Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
FDS7788Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC2SJ328-Z-E1-AZRenesas2SJ328 - SWITCHING P-CHANNEL POW
SPI07N65C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
IPB45N06S3L-13Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
STS2DPFS20VSTMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 2.5A 8SORRQ020P03LAPIS Technology
IRF1902TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
2SK3747onsemiMOSFET N-CH 1500V 2A TO3PML
SI4778DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 8A 8SORRQ030P03TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 3A TSMT6RRQ045P03/TRLAPIS Technology
BSS123WonsemiMOSFET N-CH 100V 170MA SC70AO4476AAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 15A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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