RRH090P03TB1の技術仕様
Rohm Semiconductor - RRH090P03TB1技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RRH090P03TB1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15.4mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 650mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3000 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RRH090 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RRH090P03TB1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RRH090P03TB1 | RRH040P03TB1 | RRH140P03GZETB | RRH100P03TB1 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 基本製品番号 | RRH090 | RRH040 | RRH140 | RRH100 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 5 V | 5.2 nC @ 5 V | 150 nC @ 10 V | 39 nC @ 5 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15.4mOhm @ 9A, 10V | 75mOhm @ 4A, 10V | 7mOhm @ 14A, 10V | 12.6mOhm @ 10A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3000 pF @ 10 V | 480 pF @ 10 V | 8000 pF @ 10 V | 3600 pF @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 650mW (Ta) | 650mW (Ta) | 650mW (Ta) | 650mW (Ta) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta) | 4A (Ta) | 14A (Ta) | 10A (Ta) |
| シリーズ | - | - | - | - |
RRH075P03FU7TB1LAPIS TechnologyRRH090P03FPFTB1LAPIS TechnologyRRH090P03FPFTB1.LAPIS TechnologyRRH040P03TB1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 4A 8SOPRRH140P03GZETBRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 14A 8SOPRRH100P03TB1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 10A 8SOPRRH075P03TB1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOPRRH050P03TB1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 5A 8SOPRRH100P03GZETBRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 10A 8SOPRRH050P03GZETBRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 5A 8SOICRRH090P03FX3TB1LAPIS TechnologyRRH090P03TBLAPIS TechnologyRRH050LAPIS TechnologyRRH075P03TBLAPIS TechnologyRRH040P03TBLAPIS TechnologyRRH050P03TBLAPIS TechnologyRRH140P03TB1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
RRH100P03TBVBsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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