RRE02VS6SGTRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RRE02VS6SGTR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RRE02VS6SGTR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 200 mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TUMD2S | |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 2-SMD, Flat Lead |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | RRE02 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RRE02VS6SGTRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RRE02VS6SGTR | RRE02VSM4STR | RRE07VSM4STR | VS-T70HFL10S05 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| サプライヤデバイスパッケージ | TUMD2S | TUMD2SM | TUMD2SM | D-55 |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA | 200mA | 700mA | 70A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Chassis Mount |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 400 V | 400 V | 100 V |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ/ケース | 2-SMD, Flat Lead | 2-SMD, Flat Lead | 2-SMD, Flat Lead | D-55 T-Module |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | RRE02 | RRE02 | RRE07 | T70 |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | - |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 400 V | 100 µA @ 100 V |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 700 mA | - |
RRE02VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 200MA TUMD2SMRRE02VS4STRLAPIS TechnologyRRE02VS6SLAPIS TechnologyRRE07VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 700MA TUMD2SMVS-T70HFL10S05Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 70A D-55RRE02VS4SLAPIS Technology
BAV20WYangjie TechnologyDIODE GEN PURP 150V 200MA SOD123
1N1581RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4RRE07VS4SLAPIS Technology
MURS360S-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA1N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35RRE02VS4SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S
SB560A-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201ADRRE04EA4DLAPIS TechnologyRRE02VSM6STRRohm SemiconductorDIODE GP 600V 200MA TUMD2SM30WQ06FNVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK
BAS21HT1onsemiDIODE SWITCH 200MA 250V SOD323
US1GWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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