RQ3E120ATTBの技術仕様
Rohm Semiconductor - RQ3E120ATTB技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RQ3E120ATTB仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3200 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RQ3E120 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RQ3E120ATTBと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RQ3E120ATTB | RQ3E100BNTB | RQ3E130MNTB1 | RQ3E150BNTB |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 基本製品番号 | RQ3E120 | RQ3E100 | RQ3E130 | RQ3E150 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 12A, 10V | 10.4mOhm @ 10A, 10V | 8.1mOhm @ 13A, 10V | 5.3mOhm @ 15A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta) | 10A (Ta) | 13A (Ta) | 15A (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 62 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3200 pF @ 15 V | 1100 pF @ 15 V | 840 pF @ 15 V | 3000 pF @ 15 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) | 8-HSMT (3.2x3) | 8-HSMT (3.2x3) | 8-HSMT (3.2x3) |
RQ3E120ATTB - Rohm SemiconductorのRQ3E120ATTB PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RQ3E100MNFULAPIS TechnologyRQ3E120AT-TBLAPIS TechnologyRQ3E150GNLAPIS TechnologyRQ3E100BNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMTRQ3E130MNTB1Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 13A HSMT8RQ3E100BSFU7TBLAPIS TechnologyRQ3E150GNA10TBLAPIS TechnologyRQ3E100BNFU7TBLAPIS TechnologyRQ3E130MNTBLAPIS TechnologyRQ3E100MNFU7TBLAPIS TechnologyRQ3E150BNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 15A 8HSMTRQ3E120GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMTRQ3E130BNLAPIS TechnologyRQ3E120ASFU7TBLAPIS TechnologyRQ3E120ATVBsemiRQ3E100MNLAPIS TechnologyRQ3E100MNFU7TB1LAPIS TechnologyRQ3E130BNFU7TBLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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