RQ1E100XNTRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RQ1E100XNTR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RQ1E100XNTR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.5mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 550mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12.7 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RQ1E100 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RQ1E100XNTRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RQ1E100XNTR | RQ1C075UNTR | RQ1C065UNTR | RQ1A070APTR |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 基本製品番号 | RQ1E100 | RQ1C075 | RQ1C065 | RQ1A070 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 20 V | 20 V | 12 V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.5mOhm @ 10A, 10V | 16mOhm @ 7.5A, 4.5V | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V | 14mOhm @ 7A, 4.5V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000 pF @ 10 V | 1400 pF @ 10 V | 870 pF @ 10 V | 7800 pF @ 6 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 550mW (Ta) | 700mW (Ta) | 700mW (Ta) | 550mW (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 | TSMT8 | TSMT8 | TSMT8 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12.7 nC @ 5 V | 18 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V | 80 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±10V | ±10V | -8V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) | 7.5A (Ta) | 6.5A (Ta) | 7A (Ta) |
RQ1E100XNTR - Rohm SemiconductorのRQ1E100XNTR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RQ1E050RPLAPIS TechnologyRQ1E080MN/TRLAPIS TechnologyRQ1C075UNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8RQ1C075UNFRATRLAPIS TechnologyRQ1C065UNLAPIS TechnologyRQ1E070RPLAPIS TechnologyRQ1A070ZPLAPIS TechnologyRQ1C075UN/TRLAPIS TechnologyRQ1E070RP/TRLAPIS TechnologyRQ1C065UNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8RQ1A070ZPFRATRLAPIS TechnologyRQ1A070APTRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 12V 7A TSMT8RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 12V 7A TSMT8RQ1C075UNLAPIS TechnologyRQ1E070RPTRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 7A TSMT8RQ1E075VNLAPIS TechnologyRQ1E050RPTRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 5A TSMT8RQ1E075XNLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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