RHP020N06T100の技術仕様
Rohm Semiconductor - RHP020N06T100技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RHP020N06T100仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | MPT3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-243AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RHP020 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RHP020N06T100と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RHP020N06T100 | 2SK2035(T5L,F,T) | SIRA80DP-T1-RE3 | RHP030N03T100 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Toshiba Semiconductor and Storage | Vishay Siliconix | Rohm Semiconductor |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | - | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 1mA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | MPT3 | SSM | PowerPAK® SO-8 | MPT3 |
| 基本製品番号 | RHP020 | 2SK2035 | SIRA80 | RHP030 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 2.5V | 4.5V, 10V | 4V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | 10V | +20V, -16V | ±20V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | 100mW (Ta) | 104W (Tc) | 500mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-243AA | SC-75, SOT-416 | PowerPAK® SO-8 | TO-243AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 10 V | - | 188 nC @ 10 V | 6.5 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 2A, 10V | 12Ohm @ 10mA, 2.5V | 0.62mOhm @ 20A, 10V | 120mOhm @ 3A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) | 100mA (Ta) | 100A (Tc) | 3A (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140 pF @ 10 V | 8.5 pF @ 3 V | 9530 pF @ 15 V | 160 pF @ 10 V |
| シリーズ | - | - | TrenchFET® Gen IV | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RHP020N06T100 - Rohm SemiconductorのRHP020N06T100 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
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AONS32106Alpha & Omega Semiconductor Inc.NIRFP9240Harris CorporationMOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
FQB12P10TMonsemiMOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
2SK4066-DL-1EXFairchild Semiconductor2SK4066 - N-CHANNEL POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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