RGT8BM65DTLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RGT8BM65DTL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RGT8BM65DTL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 4A | |
| 試験条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 17ns/69ns | |
| エネルギーの切り替え | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 40 ns | |
| 電力 - 最大 | 62 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | |
| ゲートチャージ | 13.5 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 12 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 8 A | |
| 基本製品番号 | RGT8BM65 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RGT8BM65DTLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RGT8BM65DTL | RGT50TS65DGC13 | IRG4BC30UPBF | RJP4009ANS-01#Q6 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | International Rectifier | Renesas Electronics America Inc |
| エネルギーの切り替え | - | - | 160µJ (on), 200µJ (off) | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | 650 V | 600 V | 400 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | Tube |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 4A | 2.1V @ 15V, 25A | 2.1V @ 15V, 12A | 9V @ 2.5V, 150A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | RGT8BM65 | RGT50 | - | - |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | Trench Field Stop | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 | TO-247G | TO-220AB | 8-VSON (3x4.4) |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 17ns/69ns | 27ns/88ns | 17ns/78ns | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-247-3 | TO-220-3 | 8-VDFN |
| 試験条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V | 400V, 25A, 10Ohm, 15V | 480V, 12A, 23Ohm, 15V | - |
| ゲートチャージ | 13.5 nC | 49 nC | 50 nC | - |
| 逆回復時間（trrの） | 40 ns | 58 ns | - | - |
| 電力 - 最大 | 62 W | 174 W | 100 W | 1.8 W |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 8 A | 48 A | 23 A | - |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 12 A | 75 A | 92 A | 150 A |
RGT8BM65DTL - Rohm SemiconductorのRGT8BM65DTL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RGTH00TS65DG C11LAPIS TechnologyRGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 48A TO247GIRG4BC30UPBFInternational RectifierULTRAFAST SPEED IGBTRJP4009ANS-01#Q6Renesas Electronics America IncIGBT 400V
STGW40NC60VSTMicroelectronicsIGBT 600V 80A 260W TO247RGTH60TS65GC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NRGTH60TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NRGTH40TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
AOTF10B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.IGBT 600V 20A 42W TO220FRGT30TM65DLAPIS TechnologyRGTH60TS65DLAPIS TechnologyRGT40TS65DGLAPIS Technology
STGP35HF60WSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W TO220AOT15B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.IGBT 600V 30A 167W TO220IRG7PH44K10D-EPBFInternational RectifierIGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY DRGTH60TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
HGTG20N60A4DonsemiIGBT 600V 70A 290W TO247
IXGK120N60C2IXYSIGBT 600V 75A 830W TO264| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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