RGT8BM65DTLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RGT8BM65DTL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RGT8BM65DTL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 4A | |
| 試験条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 17ns/69ns | |
| エネルギーの切り替え | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 40 ns | |
| 電力 - 最大 | 62 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | |
| ゲートチャージ | 13.5 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 12 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 8 A | |
| 基本製品番号 | RGT8BM65 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RGT8BM65DTLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RGT8BM65DTL | IXGH28N60B | IRGP4066DPBF | RGT50TS65DGC13 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | IXYS | Infineon Technologies | Rohm Semiconductor |
| エネルギーの切り替え | - | 2mJ (off) | 2.47mJ (on), 2.16mJ (off) | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | 600 V | 600 V | 650 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 4A | 2V @ 15V, 28A | 2.1V @ 15V, 75A | 2.1V @ 15V, 25A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | RGT8BM65 | IXGH28 | IRGP4066 | RGT50 |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | - | Trench | Trench Field Stop |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 | TO-247AD | TO-247AC | TO-247G |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 17ns/69ns | 15ns/175ns | 50ns/200ns | 27ns/88ns |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 試験条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V | 480V, 28A, 10Ohm, 15V | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| ゲートチャージ | 13.5 nC | 68 nC | 150 nC | 49 nC |
| 逆回復時間（trrの） | 40 ns | - | 155 ns | 58 ns |
| 電力 - 最大 | 62 W | 150 W | 454 W | 174 W |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 8 A | 40 A | 140 A | 48 A |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 12 A | 80 A | 225 A | 75 A |
RGT8BM65DTL - Rohm SemiconductorのRGT8BM65DTL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
IXGH28N60BIXYSIGBT 600V 40A 150W TO247ADIRGP4066DPBFInfineon TechnologiesIGBT TRENCH 600V 140A TO247ACRGT40TS65DGLAPIS TechnologyRGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 48A TO247GRGTH40TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247NRGTH60TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247RGTH00TS65DG C11LAPIS Technology
STGF3NC120HDSTMicroelectronicsIGBT 1200V 6A 25W TO220FPRGTH60TW65DGC13LAPIS TechnologyRGTH60TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NIXGH50N60BIXYSIGBT 600V 75A 300W TO247ADRGTH60TS65DLAPIS TechnologyRGTH60TS65DGLAPIS TechnologyRGT30TM65DLAPIS Technology
STGD5H60DFSTMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H SRGTH60TS65GC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NIXGH15N120B2D1IXYSIGBT 1200V 30A 192W TO247AD
STGB10M65DF2STMicroelectronicsIGBT 650V 10A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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