RF4E080BNTRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RF4E080BNTR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RF4E080BNTR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | HUML2020L8 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.6mOhm @ 8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerUDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RF4E080 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RF4E080BNTRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RF4E080BNTR | RF4E110BNTR | RF4E075ATTCR | RF4C100BCTCR |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | RF4E080 | RF4E110 | RF4E075 | RF4C100 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 20 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | HUML2020L8 | HUML2020L8 | HUML2020L8 | HUML2020L8 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±8V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660 pF @ 15 V | 1200 pF @ 15 V | 1000 pF @ 15 V | 1660 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 23.5 nC @ 4.5 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.6mOhm @ 8A, 10V | 11.1mOhm @ 11A, 10V | 21.7mOhm @ 7.5A, 10V | 15.6mOhm @ 10A, 4.5V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) | 11A (Ta) | 7.5A (Ta) | 10A (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 1mA | 1.2V @ 1mA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
RF4E080BNTR - Rohm SemiconductorのRF4E080BNTR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
RF4E080BN TBLAPIS TechnologyRF4E075AT TCRLAPIS TechnologyRF4E080BNLAPIS TechnologyRF4C100BCLAPIS TechnologyRF4E110BNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8RF4E110BNLAPIS TechnologyRF4E075ATTCRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8RF4C050APLAPIS Technology
RF4E20N50Fairchild (onsemi)RF4C100BCTCRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8RF4C050AP/TRLAPIS TechnologyRF4E080GNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8RF4E080GNLAPIS TechnologyRF4E080BNTBLAPIS TechnologyRF4342-000TERF4E110GNLAPIS TechnologyRF4C050APTRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8RF4E070BNLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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