RDN080N25FU6の技術仕様
Rohm Semiconductor - RDN080N25FU6技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RDN080N25FU6仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | LAPIS Technology | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA | |
Vgs(最大) | ±30V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FN | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 500mOhm @ 4A, 10V | |
電力消費(最大) | 35W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 543 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 250 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Ta) | |
基本製品番号 | RDN080 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RDN080N25FU6と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | RDN080N25FU6 | SI4823DY-T1-E3 | RDN100N20 | SI4401BDY-T1-E3 |
メーカー | Rohm Semiconductor | Vishay Siliconix | Rohm Semiconductor | Vishay Siliconix |
基本製品番号 | RDN080 | SI4823 | RDN100 | SI4401 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 2.5V, 4.5V | 10V | 4.5V, 10V |
装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
Vgs(最大) | ±30V | ±12V | ±30V | ±20V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 500mOhm @ 4A, 10V | 108mOhm @ 3.3A, 4.5V | 360mOhm @ 5A, 10V | 14mOhm @ 10.5A, 10V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Ta) | 4.1A (Tc) | 10A (Ta) | 8.7A (Ta) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FN | 8-SOIC | TO-220FN | 8-SOIC |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 250 V | 20 V | 200 V | 40 V |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 Full Pack | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
電力消費(最大) | 35W (Tc) | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) | 35W (Tc) | 1.5W (Ta) |
運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 543 pF @ 10 V | 660 pF @ 10 V | 543 pF @ 10 V | - |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
FET特長 | - | Schottky Diode (Isolated) | - | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA | 1.5V @ 250µA | 4V @ 1mA | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 55 nC @ 5 V |
シリーズ | - | LITTLE FOOT® | - | TrenchFET® |
RDN080N25FU6 - Rohm SemiconductorのRDN080N25FU6 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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