RDD022N50TLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RDD022N50TL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RDD022N50TL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.7V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | CPT3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.4Ohm @ 1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 20W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 168 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.7 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | RDD022 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RDD022N50TLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RDD022N50TL | FDBL0150N80 | TK5P53D(T6RSS-Q) | IPB45N06S3-16 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | onsemi | Toshiba Semiconductor and Storage | Infineon Technologies |
| 基本製品番号 | RDD022 | FDBL0150 | TK5P53 | IPB45N |
| 電力消費（最大） | 20W (Tc) | 429W (Tj) | 80W (Tc) | 65W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.4Ohm @ 1A, 10V | 1.4mOhm @ 80A, 10V | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | 15.4mOhm @ 23A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 80 V | 525 V | 55 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-PowerSFN | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.7 nC @ 10 V | 188 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) | 300A (Tc) | 5A (Ta) | 45A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | CPT3 | 8-HPSOF | D-Pak | PG-TO263-3-2 |
| シリーズ | - | PowerTrench® | - | OptiMOS™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 168 pF @ 25 V | 12800 pF @ 25 V | 540 pF @ 25 V | 2980 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.7V @ 1mA | 4V @ 250µA | 4.4V @ 1mA | 4V @ 30µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FDBL0150N80onsemiMOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
RDD050N20LAPIS TechnologyTK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 525V 5A DPAKIPB45N06S3-16Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 45A TO263-3RDD050N20TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 5A CPT3
FDS3692Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
RDDMF1210080V3TWalsin TechnologyRDD050N20 TLLAPIS TechnologySTD30NE06LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 30A DPAKRDD022N60TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2A CPT3RDD023N50TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2A CPT3RDD020N60 TLLAPIS TechnologyRDD020N60TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2A CPT3RDD022N60 TLLAPIS TechnologyRF4C050APTRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8RDD020N50TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2A CPT3FDD5N50UTMFairchild Semiconductor3A, 500V, 2OHM, N-CHANNEL MOSFET
IPI80N04S4-03Infineon TechnologiesIPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。