RD3G600GNTLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RD3G600GNTL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RD3G600GNTL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.6mOhm @ 60A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 40W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3400 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RD3G600 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RD3G600GNTLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RD3G600GNTL | RD3H045SPTL1 | RD3L08BGNTL | RD3L080SNFRATL |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 電力消費（最大） | 40W (Ta) | 15W (Tc) | 119W (Tc) | 15W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 | TO-252 | TO-252 | TO-252 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4V, 10V | 4.5V, 10V | 4V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46.5 nC @ 10 V | 12 nC @ 5 V | 71 nC @ 10 V | 9.4 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 3V @ 1mA | 2.5V @ 100µA | 2.5V @ 1mA |
| 基本製品番号 | RD3G600 | RD3H045 | RD3L08 | RD3L080 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3400 pF @ 20 V | 550 pF @ 10 V | 3620 pF @ 30 V | 380 pF @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 45 V | 60 V | 60 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Ta) | 4.5A (Ta) | 80A (Tc) | 8A (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.6mOhm @ 60A, 10V | 155mOhm @ 4.5A, 10V | 5.5mOhm @ 80A, 10V | 80mOhm @ 8A, 10V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
RD3P200ALFRATLLAPIS Technology
RD39UJ-T1NECRD3H045SPTL1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 45V 4.5A TO252RD3L08BGNTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 80A TO252RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 8A TO252RD3P200SNFRALAPIS Technology
RD3CYD08VSE-ERenesas Electronics CorporationRD3L140SPTL1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 60V 14A TO252RD3ST24USERenesas Electronics CorporationRD3A2BY273J-T2TYDRD3CYDT08CMH1Renesas Electronics CorporationRD39UM-T1Renesas Electronics CorporationRD3G500GNTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 40V 50A TO252RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 100V 13A TO252RD39ST1ATB1WRenesas Electronics CorporationRD3CYD08CMERenesas Electronics CorporationRD3G600GNLAPIS TechnologyRD3P200SNTL1Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 100V 20A TO252| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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