RCX160N20の技術仕様
Rohm Semiconductor - RCX160N20技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RCX160N20仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.25V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FM | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.23W (Ta), 40W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) | |
| 基本製品番号 | RCX160 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RCX160N20と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RCX160N20 | SPB02N60S5ATMA1 | RCX081N20 | SPB70N10L |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Infineon Technologies | Rohm Semiconductor | Infineon Technologies |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| シリーズ | - | CoolMOS™ | - | SIPMOS® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V | 9.5 nC @ 10 V | 8.5 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | RCX160 | SPB02N | RCX081 | SPB70N |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FM | PG-TO263-3-2 | TO-220FM | PG-TO263-3-2 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) | 1.8A (Tc) | 8A (Tc) | 70A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 8A, 10V | 3Ohm @ 1.1A, 10V | 770mOhm @ 4A, 10V | 16mOhm @ 50A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 25 V | 240 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 4540 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 600 V | 200 V | 100 V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 2.23W (Ta), 40W (Tc) | 25W (Tc) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) | 250W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.25V @ 1mA | 5.5V @ 80µA | 5.25V @ 1mA | 2V @ 2mA |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
RCX160N20 - Rohm SemiconductorのRCX160N20 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
SPB02N60S5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3RCX081N20Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 8A TO220FMSPB70N10LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
ZXMN4A06GQTADiodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 31V~40V SOT223 T&R
FDMA908PZonsemiMOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
STU7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 5A IPAK
SI3440DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOPRCX300N20Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
NTB30N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
STL34N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
STD7NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A DPAK
SIHB24N65ET1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO263
DMN3023L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
FQPF4N60onsemiMOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 100A D2PAKZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3SI7116DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8RCX450N20Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 45A TO220FM| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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