RBQ30NS45AFHTLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RBQ30NS45AFHTL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RBQ30NS45AFHTL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 650 mV @ 15 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 45 V | |
| 技術 | Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | LPDS | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 µA @ 45 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 30A | |
| 基本製品番号 | RBQ30 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RBQ30NS45AFHTLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RBQ30NS45AFHTL | MMBD4448HTC-7-F | RBQ30NS65ATL | MMBD4448HADW-7-F |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 650 mV @ 15 A | 1.25 V @ 150 mA | 690 mV @ 15 A | 1.25 V @ 150 mA |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 30A | 250mA | 15A | 250mA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | 150°C | -65°C ~ 150°C |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 µA @ 45 V | 100 nA @ 70 V | 200 µA @ 65 V | 100 nA @ 70 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | LPDS | SOT-523 | LPDS | SOT-363 |
| 技術 | Schottky | Standard | Schottky | Standard |
| 基本製品番号 | RBQ30 | MMBD4448 | RBQ30 | MMBD4448 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 2 Pair Common Anode |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | SOT-523 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 45 V | 80 V | 65 V | 80 V |
RBQ30NS45AFHTL - Rohm SemiconductorのRBQ30NS45AFHTL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
MMBD4448HTC-7-FDiodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT523
RBQ10T65ALAPIS TechnologyRBQ30NS65ATLRohm SemiconductorDIODE (RECTIFIER FRD) 65V-VRM 65MMBD4448HADW-7-FDiodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
MUR3020WTonsemiDIODE ARRAY GP 200V 15A TO247
APT2X60D60JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 600V 60A ISOTOP
40CTQ045-1Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO262RBQ20NS45AFHTLRohm SemiconductorDIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45RBQ30NS45BFHTLRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 30A LPDS
TSF20L100CTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220ABRBQ10B45ALAPIS Technology
RBQ10B65ATLRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 65V 5A CPD
F1892RD400Sensata-CrydomDIODE MODULE 400V 90AAPT2X151DL60JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 600V 150A ISOTOP
RBQ20BM45AFHTLRohm SemiconductorSCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
RBQ-31251-CISMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTERRBQ10BM45AFHTLRohm SemiconductorDIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45RBQ15BM45ATLRohm SemiconductorRBQ15BM45A IS SCHOTTKY BARRIER D| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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