R6047ENZ1C9の技術仕様
Rohm Semiconductor - R6047ENZ1C9技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - R6047ENZ1C9仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 72mOhm @ 25.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 120W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3850 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 145 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 47A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor R6047ENZ1C9と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | R6047ENZ1C9 | R6035KNZ1C9 | R6035ENZ1C9 | R6076MNZ1C9 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 145 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3850 pF @ 25 V | 3000 pF @ 25 V | 2720 pF @ 25 V | 7000 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 47A (Tc) | 35A (Tc) | 35A (Tc) | 76A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 72mOhm @ 25.8A, 10V | 102mOhm @ 18.1A, 10V | 102mOhm @ 18.1A, 10V | 55mOhm @ 38A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 120W (Tc) | 379W (Tc) | 120W (Tc) | 740W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | 5V @ 1mA | 4V @ 1mA | 5V @ 1mA |
R6047ENZ1C9 - Rohm SemiconductorのR6047ENZ1C9 PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
R6076ENZ4C13 MOSLAPIS Technology
R6030835Powerex, Inc.IGBT ModuleR60S1215TSCONVERTERIGBT ModuleR6047ENZ1LAPIS TechnologyR6031220Powerex, Inc.IGBT ModuleR60S4821-1TSACONIGBT ModuleR6035KNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247R6035ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO247R6030ENZ1LAPIS TechnologyR6076MNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247R6076ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 76A TO247R6031235Powerex, Inc.IGBT Module
R60MI3100AA30KKEMETCAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
R60PF2100AA30JKEMETCAP FILM 10000PF 5% 630VDC RADR6031225Powerex, Inc.IGBT ModuleR6031222Powerex, Inc.IGBT Module
R60PI3100AA30JKEMETCAP FILM 0.1UF 5% 630VDC RADR6032022Powerex, Inc.IGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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