R6020KNJTLの技術仕様
Rohm Semiconductor - R6020KNJTL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - R6020KNJTL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | LPTS | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 196mOhm @ 9.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 231W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1550 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| 基本製品番号 | R6020 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor R6020KNJTLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | R6020KNJTL | R6020ANZC8 | R6020JNXC7G | R6020JNJGTL |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 15V | 15V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 45 nC @ 15 V | 45 nC @ 15 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | R6020 | - | R6020 | R6020 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 20A (Ta) | 20A (Tc) | 20A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-3P-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1550 pF @ 25 V | 2040 pF @ 25 V | 1500 pF @ 100 V | 1500 pF @ 100 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 196mOhm @ 9.5A, 10V | 220mOhm @ 10A, 10V | 234mOhm @ 10A, 15V | 234mOhm @ 10A, 15V |
| サプライヤデバイスパッケージ | LPTS | TO-3PF | TO-220FM | LPTS |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 4.15V @ 1mA | 7V @ 3.5mA | 7V @ 3.5mA |
| 電力消費（最大） | 231W (Tc) | 120W (Tc) | 76W (Tc) | 252W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
R6020KNJTL - Rohm SemiconductorのR6020KNJTL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
R6021625Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020ANZC8Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO3PFR6020JNXC7GRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO220FMR6020ENXC7LAPIS TechnologyR6020JNJGTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A LPTSR6020ANZFU7C8LAPIS TechnologyR6020ANZLAPIS TechnologyR6024KNXC7LAPIS TechnologyR6020JNZC8Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO3PFR6020ENXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO220FMR6020ANXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO220FMR6024KNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247R6024KNXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 24A TO220FMR6021622Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020ENJLAPIS TechnologyR6025JNXC7GRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 25A TO220FMR6021635Powerex, Inc.IGBT ModuleR6025ANZLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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