QS8K13TCRの技術仕様
Rohm Semiconductor - QS8K13TCR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - QS8K13TCR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 550mW | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 390pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | QS8K13 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor QS8K13TCRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | QS8K13TCR | QS8K2TR | QS8M13TCR | QS8J2TR |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 390pF @ 10V | 285pF @ 10V | 390pF @ 10V | 1940pF @ 6V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 | TSMT8 | TSMT8 | TSMT8 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 10V | 4.6nC @ 4.5V | 5.5nC @ 5V | 20nC @ 4.5V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 6A, 10V | 54mOhm @ 3.5A, 4.5V | 28mOhm @ 6A, 10V | 36mOhm @ 4A, 4.5V |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 基本製品番号 | QS8K13 | QS8K2 | QS8M13 | QS8J2 |
| 電力 - 最大 | 550mW | 1.25W | 1.5W | 550mW |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 12V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 1.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 1V @ 1mA |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A | 3.5A | 6A, 5A | 4A |
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QS8K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
QS8M11A TCRLAPIS TechnologyQS8M13TCRRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8QS8J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8QS8M11ALAPIS TechnologyQS8M11AZETCRLAPIS TechnologyQS8K11TCRRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+NCH MOSFETQS8M1 TLLAPIS TechnologyQS8J13LAPIS TechnologyQS8M13 TCRLAPIS TechnologyQS8J12LAPIS TechnologyQS8J4TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8QS8F2TCRRohm SemiconductorMOSFET/TRANS P-CH/PNP TSMT8QS8J2FU7TRLAPIS TechnologyQS8J13TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8QS8K11LAPIS TechnologyQS8J12TCRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8QS8M1TLLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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