QS6J1TRの技術仕様
Rohm Semiconductor - QS6J1TR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - QS6J1TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 1mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 1.25W | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | QS6J1 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor QS6J1TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | QS6J1TR | QS6J3TR | QS6K1FRATR | QS6K1TR |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | 238mOhm @ 1A, 4.5V | 238mOhm @ 1A, 4.5V |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C | 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 30V | 30V |
| 電力 - 最大 | 1.25W | 1.25W | 900mW (Tc) | 1.25W |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270pF @ 10V | 270pF @ 10V | 77pF @ 10V | 77pF @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate |
| 基本製品番号 | QS6J1 | QS6J3 | QS6K1 | QS6K1 |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| シリーズ | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3nC @ 4.5V | 3nC @ 4.5V | 2.4nC @ 4.5V | 2.4nC @ 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 1.5V @ 1mA | 1.5V @ 1mA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A | 1.5A | 1A (Ta) | 1A |
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QS6J3TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6QS6J11LAPIS TechnologyQS6J1/TRLAPIS TechnologyQS6K21LAPIS TechnologyQS6K1FRATRRohm Semiconductor2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE
QS6612LFIDT (Renesas Electronics Corporation)QS6K1/TRLAPIS TechnologyQS6611TFQSQS6611QFQSQS6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6QS6K1TR MOSLAPIS TechnologyQS6J11TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6QS6J1TR MOSLAPIS TechnologyQS6J11/TRLAPIS TechnologyQS6K1FRALAPIS TechnologyQS6K21/TRLAPIS TechnologyQS6K21FRALAPIS TechnologyQS6612-LFQSI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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