MTZJT-7718Bの技術仕様
Rohm Semiconductor - MTZJT-7718B技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - MTZJT-7718B仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | LAPIS Technology | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 18 V | |
公差 | ±3% | |
サプライヤデバイスパッケージ | MSD | |
シリーズ | MTZ J | |
電力 - 最大 | 500 mW |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | DO-204AG, DO-34, Axial | |
パッケージ | Tape & Box (TB) | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Through Hole | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 30 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 nA @ 13 V |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor MTZJT-7718Bと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | MTZJT-7718B | MTZJT-7713C | MTZJT-727.5B | MTZJT-7722B |
メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
電力 - 最大 | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
サプライヤデバイスパッケージ | MSD | MSD | MSD | MSD |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 18 V | 13 V | 7.5 V | 22 V |
運転温度 | - | - | - | - |
シリーズ | MTZ J | MTZ J | MTZ J | MTZ J |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 nA @ 13 V | 200 nA @ 10 V | 500 nA @ 4 V | 200 nA @ 17 V |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
公差 | ±3% | ±3% | ±3% | ±3% |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 30 Ohms | 25 Ohms | 20 Ohms | 30 Ohms |
パッケージ | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース | DO-204AG, DO-34, Axial | DO-204AG, DO-34, Axial | DO-204AG, DO-34, Axial | DO-204AG, DO-34, Axial |
MTZJT-7718B - Rohm SemiconductorのMTZJT-7718B PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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