IS42S32800D-7TLIの技術仕様
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S32800D-7TLI技術仕様、属性、パラメーター、およびISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S32800D-7TLI仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 3V ~ 3.6V | |
| 技術 | SDRAM | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 86-TSOP II | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) | |
| パッケージ | Tray | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 256Mbit | |
| メモリ組織 | 8M x 32 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | DRAM | |
| クロック周波数 | 143 MHz | |
| 基本製品番号 | IS42S32800 | |
| アクセス時間 | 5.4 ns |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0024 |
右側の三つのパーツはISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TLIと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IS42S32800D-7TLI | IS42S32800D-6BLI | IS42S32800D-6TL | IS42S32800G-6BLI-TR |
| メーカー | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| メモリタイプ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| パッケージ | Tray | Tray | Tray | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
| アクセス時間 | 5.4 ns | 5.4 ns | 5.4 ns | 5.4 ns |
| サプライヤデバイスパッケージ | 86-TSOP II | 90-TFBGA (8x13) | 86-TSOP II | 90-TFBGA (8x13) |
| パッケージ/ケース | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) | 90-TFBGA | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) | 90-TFBGA |
| 基本製品番号 | IS42S32800 | IS42S32800 | IS42S32800 | IS42S32800 |
| クロック周波数 | 143 MHz | 166 MHz | 166 MHz | 166 MHz |
| メモリ組織 | 8M x 32 | 8M x 32 | 8M x 32 | 8M x 32 |
| メモリ形式 | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電源電圧 - | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| 技術 | SDRAM | SDRAM | SDRAM | SDRAM |
| 記憶容量 | 256Mbit | 256Mbit | 256Mbit | 256Mbit |
IS42S32800D-7TLI - ISSI, Integrated Silicon Solution IncのIS42S32800D-7TLI PDFデータテーブルとISSI, Integrated Silicon Solution Incドキュメントをダウンロード
IS42S32800D-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGAIS42S32800D-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
IS42S32800G-7BLIIS42S32800G-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGAIS42S32800D-7BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGAIS42S32800G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGAIS42S32800D-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGAIS42S32800D-75EBLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGAIS42S32800G-7BLI-TRIS42S32800J-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP IIIS42S32800J-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGAIS42S32800D-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP IIIS42S32800D-75EBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGAIS42S32800J-6BLI-TRIS42S32800G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800J-6BLISSIIS42S32800D-7TLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP IIIS42S32800D-7BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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