VMK165-007Tの技術仕様
IXYS - VMK165-007T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - VMK165-007T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-240AA | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7mOhm @ 82.5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 390W | |
| パッケージ/ケース | TO-240AA | |
| パッケージ | Box |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8800pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 480nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 70V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 165A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | VMK165 |
右側の三つのパーツはIXYS VMK165-007Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | VMK165-007T | VMK90-02T2 | FDS89141 | DMN3012LEG-13 |
| メーカー | IXYS | IXYS | onsemi | Diodes Incorporated |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 480nC @ 10V | 450nC @ 10V | 7.1nC @ 10V | 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8800pF @ 25V | 15000pF @ 25V | 398pF @ 50V | 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | VMK165 | VMK90 | FDS89 | DMN3012 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 70V | 200V | 100V | 30V |
| パッケージ | Box | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力 - 最大 | 390W | 380W | 1.6W | 2.2W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-240AA | TO-240AA | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-PowerLDFN |
| FET特長 | - | - | Logic Level Gate | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 165A | 83A | 3.5A | 10A (Ta), 20A (Tc) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA | 4V @ 3mA | 4V @ 250µA | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-240AA | TO-240AA | 8-SOIC | PowerDI3333-8 (Type D) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7mOhm @ 82.5A, 10V | 25mOhm @ 500mA, 10V | 62mOhm @ 3.5A, 10V | 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V |
| シリーズ | - | - | PowerTrench® | - |
VMK165-007T - IXYSのVMK165-007T PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
VMK90-02T2IXYSMOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AAFDS89141onsemiMOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
VMK90-02T1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleDMN3012LEG-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333DMC4050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SOVMK90-02TIXYS / LittelfuseIGBT Module
SI4200DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOICAO4822AAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
IRF9953TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOICVMK165-00TTIXYS / LittelfuseIGBT Module
VMK90-02IGBTIGBT Module
ECH8655R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 24V 9A 8ECH
VMK-R100-1.0-UIsabellenhuette USARES 0.1 OHM 1% 1.5W 1206BSO615NInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
SI4953DYFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFETVMK90-D2T1N/AIGBT Module
UPA2371T1P-E1-ARenesasUPA2371T1P - N-CHANNEL DUAL POWE
SI5944DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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