IXTU12N06Tの技術仕様
IXYS - IXTU12N06T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTU12N06T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 25µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251AA | |
| シリーズ | Trench | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 33W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 256 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.4 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTU12 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTU12N06Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTU12N06T | IXTT110N10L2 | IXTX120N65X2 | IXTT02N450HV |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.4 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 10.4 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 256 pF @ 25 V | 10500 pF @ 25 V | 13600 pF @ 25 V | 256 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 110A (Tc) | 120A (Tc) | 200mA (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 6A, 10V | 18mOhm @ 55A, 10V | 24mOhm @ 60A, 10V | 750Ohm @ 10mA, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 33W (Tc) | 600W (Tc) | 1250W (Tc) | 113W (Tc) |
| シリーズ | Trench | Linear L2™ | Ultra X2 | - |
| 基本製品番号 | IXTU12 | IXTT110 | IXTX120 | IXTT02 |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-247-3 Variant | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251AA | TO-268AA | PLUS247™-3 | TO-268AA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 100 V | 650 V | 4500 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 25µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 8mA | 6.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
IXTU12N06T - IXYSのIXTU12N06T PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTT110N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO268IXTX120N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3IXTT02N450HVIXYSMOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
IXTY01N100DIXYSMOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AAIXTX5N250IXYSMOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
IXTV18N60PSIXYSMOSFET N-CH 600V 18A PLUS-220SMDIXTT68P20TIXYSMOSFET P-CH 200V 68A TO268IXTU01N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 100MA TO251IXTT90P10PIXYSMOSFET P-CH 100V 90A TO268IXTT170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO268IXTX46N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3IXTU05N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 750MA TO251IXTT12N150HVIXYSMOSFET N-CH 1500V 12A TO268
IXTX4N300P3HVIXYSMOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHVIXTU01N100DIXYSMOSFET N-CH 1000V 400MA TO251IXTX8N150LIXYSMOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3
IXTR200N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247IXTX20N150IXYSMOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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