IXTQ72N20Tの技術仕様
IXYS - IXTQ72N20T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTQ72N20T仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | IXYS Corporation | |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
シリーズ | Trench | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | |
電力消費(最大) | - | |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tube | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Through Hole | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 72A (Tc) | |
基本製品番号 | IXTQ72 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTQ72N20Tと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IXTQ72N20T | IXTQ74N20P | IXTQ60N20T | IXTQ64N25P |
メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
電力消費(最大) | - | 480W (Tc) | 500W (Ta) | 400W (Tc) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | 200 V | 200 V | 250 V |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 72A (Tc) | 74A (Tc) | 60A (Tc) | 64A (Tc) |
シリーズ | Trench | Polar | Trench | Polar |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
FET特長 | - | - | - | - |
運転温度 | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | 34mOhm @ 37A, 10V | 40mOhm @ 30A, 10V | 49mOhm @ 500mA, 10V |
パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
基本製品番号 | IXTQ72 | IXTQ74 | IXTQ60 | IXTQ64 |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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