IXTQ200N10Tの技術仕様
IXYS - IXTQ200N10T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTQ200N10T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
| シリーズ | Trench | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 550W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 152 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTQ200 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTQ200N10Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTQ200N10T | IXTQ150N06P | IXTQ16N50P | IXTQ170N10P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9400 pF @ 25 V | 3000 pF @ 25 V | 2250 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 550W (Tc) | 480W (Tc) | 300W (Tc) | 715W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 500 V | 100 V |
| 基本製品番号 | IXTQ200 | IXTQ150 | IXTQ16 | IXTQ170 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 50A, 10V | 10mOhm @ 75A, 10V | 400mOhm @ 8A, 10V | 9mOhm @ 500mA, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| シリーズ | Trench | Polar | Polar | Polar |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) | 150A (Tc) | 16A (Tc) | 170A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 152 nC @ 10 V | 118 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 198 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
IXTQ200N10T - IXYSのIXTQ200N10T PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTQ150N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 150A TO3PIXTQ16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO3PIXTQ170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO3PIXTQ26N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 26A TO3PIXTQ160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO3PIXTQ22N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 22A TO3PIXTQ36N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 36A TO3PIXTQ18N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 18A TO3PIXTQ22N50P MOSIXYS / LittelfuseIXTQ150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO3PIXTQ180N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 180A TO3PIXTQ200N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 200A TO3PIXTQ30N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 30A TO3PIXTQ182N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 182A TO3PIXTQ22N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 22A TO3PIXTQ200N04TIXYS / LittelfuseIXTQ26N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 26A TO3PIXTQ30N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO3P| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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