画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IXTP2N60P - IXYS
- メーカー 部品型番
- IXTP2N60P
- メーカー
- IXYS Corporation
- Allelco 部品型番
- 32D-IXTP2N60P
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- データシート
- IXT(P,Y)2N60P.pdf
- 在庫あり: 4200
IXTP2N60Pの技術仕様
IXYS - IXTP2N60P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTP2N60P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | Polar™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.1Ohm @ 1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 55W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 240 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTP2 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTP2N60Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTP2N60P | IXTP44N10T | IXTP3N100P | IXTP260N055T2 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 電力消費（最大） | 55W (Tc) | 130W (Tc) | 125W (Tc) | 480W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 240 pF @ 25 V | 1262 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 10800 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) | 44A (Tc) | 3A (Tc) | 260A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.1Ohm @ 1A, 10V | 30mOhm @ 22A, 10V | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V | 3.3mOhm @ 50A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4.5V @ 25µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | Polar™ | Trench | Polar P3™ | TrenchT2™ |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 基本製品番号 | IXTP2 | IXTP44 | IXTP3 | IXTP260 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 100 V | 1000 V | 55 V |
IXTP2N60P - IXYSのIXTP2N60P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTP44N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 44A TO220ABIXTP3N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 3A TO220ABIXTP260N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 260A TO220ABIXTP44P15TIXYSMOSFET P-CH 150V 44A TO220ABIXTP220N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 220A TO220ABIXTP3N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO220ABIXTP240N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 240A TO220ABIXTP26P20PIXYSMOSFET P-CH 200V 26A TO220ABIXTP2N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 2A TO220ABIXTP42N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 42A TO220ABIXTP230N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 230A TO220ABIXTP24P085TIXYSMOSFET P-CH 85V 24A TO220ABIXTP42N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 42A TO220ABIXTP450P2IXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO220ABIXTP32P05TIXYSMOSFET P-CH 50V 32A TO220ABIXTP24N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 24A TO220ABIXTP36P15PIXYSMOSFET P-CH 150V 36A TO220ABIXTP26P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 26A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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