IXTN90N25L2の技術仕様
IXYS - IXTN90N25L2技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTN90N25L2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 3mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | Linear L2™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 735W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 640 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTN90 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはIXYS IXTN90N25L2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTN90N25L2 | IXTP02N50D | IXTP05N100 | IXTP02N120P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| シリーズ | Linear L2™ | Depletion | - | Polar |
| FET特長 | - | Depletion Mode | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 基本製品番号 | IXTN90 | IXTP02 | IXTP05 | IXTP02 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 735W (Tc) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) | 40W (Tc) | 33W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 200mA (Tc) | 750mA (Tc) | 200mA (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23000 pF @ 25 V | 120 pF @ 25 V | 260 pF @ 25 V | 104 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | 500 V | 1000 V | 1200 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 3mA | 5V @ 25µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 100µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33mOhm @ 500mA, 10V | 30Ohm @ 50mA, 0V | 17Ohm @ 375mA, 10V | 75Ohm @ 100mA, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 640 nC @ 10 V | - | 7.8 nC @ 10 V | 4.7 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
IXTN90N25L2 - IXYSのIXTN90N25L2 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTP02N50DIXYSMOSFET N-CH 500V 200MA TO220ABIXTP05N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 750MA TO220ABIXTP02N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
IXTN550N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 550A SOT227BIXTP08N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 800MA TO220ABIXTN44N50LIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN79N20IXYSMOSFET N-CH 200V 85A SOT227BIXTN600N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 600A SOT227BIXTP08N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 800MA TO220ABIXTN90P20PIXYSMOSFET P-CH 200V 90A SOT227BIXTN40P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 40A SOT227BIXTP08N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 800MA TO220ABIXTN36N50SIIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN60N50L2IXYSMOSFET N-CH 500V 53A SOT227BIXTN36N50S1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN62N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 62A SOT227BIXTP06N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 600MA TO220ABIXTP01N100DIXYSMOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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