IXTH67N10の技術仕様
IXYS - IXTH67N10技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTH67N10仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) | |
| シリーズ | MegaMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 33.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 260 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 67A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTH67 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTH67N10と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTH67N10 | IXTH75N10 | IXTH60N15 | IXTH50P085 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | MegaMOS™ | MegaMOS™ | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 260 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | 4V @ 4mA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 67A (Tc) | 75A (Tc) | 60A (Tc) | 50A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 基本製品番号 | IXTH67 | IXTH75 | IXTH60 | IXTH50 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 150 V | 85 V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 275W (Tc) | 300W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 33.5A, 10V | 20mOhm @ 37.5A, 10V | 33mOhm @ 15A, 10V | 55mOhm @ 25A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 3000 pF @ 25 V | 4200 pF @ 25 V |
IXTH67N10 - IXYSのIXTH67N10 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTH75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO247IXTH60N15IXYSMOSFET N-CH 150V 60A TO247IXTH50P085IXYSMOSFET P-CH 85V 50A TO247IXTH5N100AIXYSMOSFET N-CH 1000V 5A TO247IXTH50N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 50A TO247IXTH60N25IXYSMOSFET N-CH 250V 60A TO247IXTH6N80AIXYSMOSFET N-CH 800V 6A TO247IXTH72N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 72A TO247IXTH60N20L2IXYSMOSFET N-CH 200V 60A TO247IXTH52N65XIXYSMOSFET N-CH 650V 52A TO247IXTH6N90IXYSMOSFET N-CH 900V 6A TO247IXTH60N10IXYSMOSFET N-CH 100V 60A TO247IXTH76N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 76A TO247IXTH6N90AIXYSMOSFET N-CH 900V 6A TO247IXTH50N30IXYSMOSFET N-CH 300V 50A TO247IXTH72N20IXYSMOSFET N-CH 200V 72A TO247IXTH75N15IXYSMOSFET N-CH 150V 75A TO247IXTH50P10IXYSMOSFET P-CH 100V 50A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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