画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IXTH12N90 - IXYS
- メーカー 部品型番
- IXTH12N90
- メーカー
- IXYS Corporation
- Allelco 部品型番
- 32D-IXTH12N90
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 900V 12A TO247
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-247-3
- データシート
- IXT(H,M)12N90.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 3790
IXTH12N90の技術仕様
IXYS - IXTH12N90技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTH12N90仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) | |
| シリーズ | MegaMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 900mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTH12 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTH12N90と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTH12N90 | IXTH130N10T | IXTH14N80 | IXTH12N100 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 900mOhm @ 6A, 10V | 9.1mOhm @ 25A, 10V | 700mOhm @ 500mA, 10V | 1.05Ohm @ 6A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | 5080 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | IXTH12 | IXTH130 | IXTH14 | IXTH12 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 170 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | MegaMOS™ | Trench | MegaMOS™ | MegaMOS™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | 100 V | 800 V | 1000 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 130A (Tc) | 14A (Tc) | 12A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 360W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) |
IXTH12N90 - IXYSのIXTH12N90 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTH130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO247IXTH14N80IXYSMOSFET N-CH 800V 14A TO247IXTH12N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 12A TO247IXTH14N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 14A TO247IXTH12N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO247-3IXTH130N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 130A TO247IXTH13N80IXYSMOSFET N-CH 800V 13A TO247IXTH12N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 12A TO247
IXTH11N80IXYS / LittelfuseIXTH150N17TIXYSMOSFET N-CH 175V 150A TO247IXTH130N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 130A TO247IXTH12N80IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH140P05TIXYSMOSFET P-CH 50V 140A TO247IXTH13N110IXYSMOSFET N-CH 1100V 13A TO247IXTH12N50AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH110N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 110A TO247IXTH11P50IXYSMOSFET P-CH 500V 11A TO247IXTH12N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 12A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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