IXFX80N50Q3の技術仕様
IXYS - IXFX80N50Q3技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFX80N50Q3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6.5V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS247™-3 | |
| シリーズ | HiPerFET™, Q3 Class | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFX80 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFX80N50Q3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFX80N50Q3 | IXFX55N50F | IXFX73N30Q | IXFX90N60X |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HiPerFET™, Q3 Class | HiPerRF™ | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™, Ultra X |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±30V |
| 基本製品番号 | IXFX80 | IXFX55 | IXFX73 | IXFX90 |
| 電力消費（最大） | 1250W (Tc) | 560W (Tc) | 500W (Tc) | 1100W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 55A (Tc) | 73A (Tc) | 90A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6.5V @ 8mA | 5.5V @ 8mA | 4V @ 4mA | 4.5V @ 8mA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10000 pF @ 25 V | 6700 pF @ 25 V | 5400 pF @ 25 V | 8500 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 40A, 10V | 85mOhm @ 27.5A, 10V | 45mOhm @ 500mA, 10V | 38mOhm @ 45A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 300 V | 600 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 200 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IXFX80N50Q3 - IXYSのIXFX80N50Q3 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFX55N50FIXYSMOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3IXFX73N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 73A PLUS247-3IXFX90N60XIXYSMOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3IXFX66N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3IXFX60N55Q2IXYSMOSFET N-CH 550V 60A PLUS247-3IXFX64N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3IXFX48N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3IXFX55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3IXFX64N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3IXFX48N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3IXFX52N60Q2IXYSMOSFET N-CH 600V 52A PLUS247-3IXFX90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 90A PLUS247-3IXFX94N50P2IXYSMOSFET N-CH 500V 94A PLUS247-3
IXFX44N80P MOSIXYS / LittelfuseIXFX64N50P MOSIXYS / LittelfuseIXFX64N60P3IXYSMOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3IXFX50N50IXYSMOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3IXFX80N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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