IXFP6N120Pの技術仕様
IXYS - IXFP6N120P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFP6N120P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4Ohm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2830 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 92 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFP6N120 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFP6N120Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFP6N120P | IXFP8N85X | IXFQ20N50P3 | IXFP4N85X |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | 200W (Tc) | 380W (Tc) | 150W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Ultra X | HiPerFET™, Polar3™ | HiPerFET™, Ultra X |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2830 pF @ 25 V | 654 pF @ 25 V | 1800 pF @ 25 V | 247 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 92 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 5.5V @ 250µA | 5V @ 1.5mA | 5.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220AB (IXFP) | TO-3P | TO-220AB (IXFP) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4Ohm @ 500mA, 10V | 850mOhm @ 4A, 10V | 300mOhm @ 10A, 10V | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | 8A (Tc) | 20A (Tc) | 3.5A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 850 V | 500 V | 850 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IXFP6N120 | IXFP8N85 | IXFQ20 | IXFP4N85 |
IXFP6N120P - IXYSのIXFP6N120P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFP8N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 8A TO220ABIXFQ20N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 20A TO3PIXFP4N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 3.5A TO220ABIXFP22N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 22A TO220IXFQ60N25X3IXYSMOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3PIXFP76N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 76A TO220ABIXFP60N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
IXFP34N65X2MIXYSMOSFET N-CH 650V 34A TO220IXFP34N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 34A TO220ABIXFQ50N60XIXYSMOSFET N-CH 600V 50A TO3PIXFP8N85XMIXYSMOSFET N-CH 850V 8A TO220IXFP90N20X3IXYSMOSFET N-CH 200V 90A TO220IXFP3N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO220ABIXFP4N100PMIXYSMOSFET N-CH 1000V 2.1A TO220IXFP22N65X2MIXYSMOSFET N-CH 650V 22A TO220IXFP230N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 230A TO220ABIXFP7N80PMIXYSMOSFET N-CH 800V 3.5A TO220ABIXFP7N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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