IXFN70N120SKの技術仕様
IXYS - IXFN70N120SK技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN70N120SK仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 15mA | |
| Vgs（最大） | +20V, -5V | |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 34mOhm @ 50A, 20V | |
| 電力消費（最大） | - | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2790 pF @ 1000 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 161 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 68A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN70 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN70N120SKと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN70N120SK | IXFN60N60 | IXFN70N60Q2 | IXFN66N85X |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 600 V | 600 V | 850 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| 電力消費（最大） | - | 700W (Tc) | 890W (Tc) | 830W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2790 pF @ 1000 V | 15000 pF @ 25 V | 7200 pF @ 25 V | 8900 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 161 nC @ 20 V | 380 nC @ 10 V | 265 nC @ 10 V | 230 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | +20V, -5V | ±20V | ±30V | ±30V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 15mA | 4.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 5.5V @ 8mA |
| シリーズ | - | HiPerFET™ | HiPerFET™, Q2 Class | HiPerFET™, Ultra X |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 68A (Tc) | 60A (Tc) | 70A (Tc) | 65A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 34mOhm @ 50A, 20V | 75mOhm @ 500mA, 10V | 80mOhm @ 35A, 10V | 65mOhm @ 33A, 10V |
| 基本製品番号 | IXFN70 | IXFN60 | IXFN70 | IXFN66 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | 10V | 10V | 10V |
IXFN70N120SK - IXYSのIXFN70N120SK PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN60N60IXYSMOSFET N-CH 600V 60A SOT-227BIXFN70N60Q2IXYSMOSFET N-CH 600V 70A SOT-227BIXFN73N20IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN66N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 65A SOT227BIXFN70N60IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN60N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227BIXFN70N6002IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN64N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 50A SOT227BIXFN66N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 66A SOT-227BIXFN73N30IXYSMOSFET N-CH 300V 73A SOT-227BIXFN72N55Q2IXYSMOSFET N-CH 550V 72A SOT-227BIXFN73N28IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN73NAIGBT ModuleIXFN64N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 61A SOT227BIXFN70N600LIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN65N90PIXYS / LittelfuseIXFN62N80Q3IXYSMOSFET N-CH 800V 49A SOT227BIXFN73N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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