IXFN32N120Pの技術仕様
IXYS - IXFN32N120P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN32N120P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 310mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1000W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 21000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 32A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN32 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN32N120Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN32N120P | IXFN34N100 | IXFN360N10T | IXFN32N100P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 32A (Tc) | 34A (Tc) | 360A (Tc) | 27A (Tc) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6.5V @ 1mA | 5.5V @ 8mA | 4.5V @ 250µA | 6.5V @ 1mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| 基本製品番号 | IXFN32 | IXFN34 | IXFN360 | IXFN32 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 10 V | 380 nC @ 10 V | 505 nC @ 10 V | 225 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 1000W (Tc) | 700W (Tc) | 830W (Tc) | 690W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 21000 pF @ 25 V | 9200 pF @ 25 V | 36000 pF @ 25 V | 14200 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 1000 V | 100 V | 1000 V |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™, Trench | HiPerFET™, Polar |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 310mOhm @ 500mA, 10V | 280mOhm @ 500mA, 10V | 2.6mOhm @ 180A, 10V | 320mOhm @ 16A, 10V |
IXFN32N120P - IXYSのIXFN32N120P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN32N80IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN34N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227BIXFN30N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN360N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227BIXFN30N50IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN32N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227BIXFN29N90IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN280N85IGBT ModuleIXFN300N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 295A SOT227BIXFN30N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227BIXFN340N06IXYSMOSFET N-CH 60V 340A SOT-227BIXFN32N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BIXFN360N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 310A SOT227BIXFN340N07IXYSMOSFET N-CH 70V 340A SOT-227BIXFN35N120U1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN32N60IXYSMOSFET N-CH 600V 32A SOT227BIXFN30N110PIXYSMOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227BIXFN34N80IXYSMOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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