IXFN20N120の技術仕様
IXYS - IXFN20N120技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN20N120仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 750mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 780W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN20 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN20N120と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN20N120 | IXFN210N30P3 | IXFN180N20 | IXFN180N15P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 電力消費（最大） | 780W (Tc) | 1500W (Tc) | 700W (Tc) | 680W (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFN20 | IXFN210 | IXFN180 | IXFN180 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 160 nC @ 10 V | 268 nC @ 10 V | 660 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 192A (Tc) | 180A (Tc) | 150A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7400 pF @ 25 V | 16200 pF @ 25 V | 22000 pF @ 25 V | 7000 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar3™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 4V @ 8mA | 5V @ 4mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 750mOhm @ 500mA, 10V | 14.5mOhm @ 105A, 10V | 10mOhm @ 500mA, 10V | 11mOhm @ 90A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Box |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 300 V | 200 V | 150 V |
IXFN20N120 - IXYSのIXFN20N120 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN210N30P3IXYSMOSFET N-CH 300V 192A SOT227BIXFN180N15IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN180N20IXYSMOSFET N-CH 200V 180A SOT-227BIXFN210N20IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN180N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A SOT-227BIXFN230N10IXYSMOSFET N-CH 100V 230A SOT-227BIXFN230N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 220A SOT227BIXFN1849IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN200N07IXYSMOSFET N-CH 70V 200A SOT-227BIXFN180N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 168A SOT227BIXFN180N10IXYSMOSFET N-CH 100V 180A SOT-227BIXFN23N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227BIXFN200N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 200A SOT-227BIXFN22N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN210N30X3IXYSMOSFET N-CH 300V 210A SOT227BIXFN200N06IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN210N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227BIXFN21N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。