IXFK48N50Qの技術仕様
IXYS - IXFK48N50Q技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFK48N50Q仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) | |
| シリーズ | HiPerFET™, Q Class | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 24A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 500W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 48A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFK48 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFK48N50Qと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFK48N50Q | IXFK48N60P | IXFK44N60 | IXFK52N60Q2 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| シリーズ | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™, Q2 Class |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | IXFK48 | IXFK48 | IXFK44 | IXFK52 |
| 電力消費（最大） | 500W (Tc) | 830W (Tc) | 560W (Tc) | 735W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 24A, 10V | 135mOhm @ 500mA, 10V | 130mOhm @ 22A, 10V | 115mOhm @ 500mA, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 190 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V | 198 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 48A (Tc) | 48A (Tc) | 44A (Tc) | 52A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | 5V @ 8mA | 4.5V @ 8mA | 4.5V @ 8mA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7000 pF @ 25 V | 8860 pF @ 25 V | 8900 pF @ 25 V | 6800 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
IXFK48N50Q - IXYSのIXFK48N50Q PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFK48N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 48A TO264AAIXFK44N60IXYSMOSFET N-CH 600V 44A TO264AAIXFK52N60Q2IXYSMOSFET N-CH 600V 52A TO264AAIXFK50N50IXYSMOSFET N-CH 500V 50A TO-264AAIXFK44N80P MOSIXYS / LittelfuseIXFK48N55IXYSMOSFET N-CH 550V 48A TO264AAIXFK52N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 52A TO264AAIXFK50N60BU1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFK48N49IXYS / LittelfuseIXFK55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 55A TO264AAIXFK44N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
IXFK44N50FIXYS-RFMOSFET N-CH 500V 44A TO264IXFK48N50IXYSMOSFET N-CH 500V 48A TO264AAIXFK44N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO264AAIXFK44N55QIXYSMOSFET N-CH 550V 44A TO264AAIXFK44N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO264AAIXFK60N25QIXYSMOSFET N-CH 250V 60A TO264AAIXFK50N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 50A TO264| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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