IXFK26N90の技術仕様
IXYS - IXFK26N90技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFK26N90仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 13A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 560W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10800 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFK26 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFK26N90と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFK26N90 | IXFK32N80P | IXFK30N100Q2 | IXFK26N60Q |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | 32A (Tc) | 30A (Tc) | 26A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFK26 | IXFK32 | IXFK30 | IXFK26 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 560W (Tc) | 830W (Tc) | 735W (Tc) | 360W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | 800 V | 1000 V | 600 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10800 pF @ 25 V | 8800 pF @ 25 V | 8200 pF @ 25 V | 5100 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 4.5V @ 4mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 13A, 10V | 270mOhm @ 16A, 10V | 400mOhm @ 15A, 10V | 250mOhm @ 13A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 186 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Q2 Class | HiPerFET™ |
IXFK26N90 - IXYSのIXFK26N90 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFK32N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 32A TO264AAIXFK30N100Q2IXYSMOSFET N-CH 1000V 30A TO264AAIXFK26N60QIXYSMOSFET N-CH 600V 26A TO264AAIXFK32N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 32A TO264AAIXFK32N60IXYSMOSFET N-CH 600V 32A TO264AAIXFK24N90QIXYSMOSFET N-CH 900V 24A TO264AAIXFK32N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 32A TO264AAIXFK26N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 26A TO264AAIXFK24N100FIXYSMOSFET N-CH 1000V 24A TO264IXFK21N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 21A TO264AAIXFK27N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 27A TO264AAIXFK21N100FIXYSMOSFET N-CH 1000V 21A TO264IXFK27N80IXYSMOSFET N-CH 800V 27A TO264AAIXFK30N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO264AAIXFK230N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 230A TO264AAIXFK24N100IXYSMOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AAIXFK300N20X3IXYSMOSFET N-CH 200V 300A TO264IXFK25N90IXYSMOSFET N-CH 900V 25A TO264AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。