IXFH96N15Pの技術仕様
IXYS - IXFH96N15P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFH96N15P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD (IXFH) | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Box |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 96A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFH96 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFH96N15Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFH96N15P | IXFH86N30T | IXFK100N65X2 | IXFK120N20 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Trench | HiPerFET™, Ultra X2 | HiPerFET™ |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | 860W (Tc) | 1040W (Tc) | 560W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IXFH96 | IXFH86 | IXFK100 | IXFK120 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | 5V @ 4mA | 5.5V @ 4mA | 4V @ 8mA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-264 | TO-264AA (IXFK) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 500mA, 10V | 43mOhm @ 43A, 10V | 30mOhm @ 50A, 10V | 17mOhm @ 60A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 300 V | 650 V | 200 V |
| パッケージ | Box | Tube | Tube | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 96A (Tc) | 86A (Tc) | 100A (Tc) | 120A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3500 pF @ 25 V | 11300 pF @ 25 V | 11300 pF @ 25 V | 9100 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
IXFH96N15P - IXYSのIXFH96N15P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFH86N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 86A TO247ADIXFK100N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 100A TO264IXFK120N20IXYSMOSFET N-CH 200V 120A TO-264AAIXFH88N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A TO247ADIXFH80N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 80A TO247IXFH8N80IXYSMOSFET N-CH 800V 8A TO247ADIXFK110N07IXYSMOSFET N-CH 70V 110A TO264AAIXFH80N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 80A TO247ADIXFK100N10IXYSMOSFET N-CH 100V 100A TO264AAIXFH96N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 96A TO247ADIXFK120N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 120A TO264AAIXFK102N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 102A TO264AAIXFH88N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 88A TO247ADIXFH80N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 80A TO247
IXFH90N20X3IXYSMOSFET N-CH 200V 90A TO247IXFK100N25IXYSMOSFET N-CH 250V 100A TO264AAIXFH88N30P MOSIXYS / LittelfuseIXFH9N80IXYSMOSFET N-CH 800V 9A TO247AD| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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