IXFH15N100Pの技術仕様
IXYS - IXFH15N100P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFH15N100P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD (IXFH) | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 760mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 543W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5140 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 97 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFH15 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFH15N100Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFH15N100P | IXFH15N60 | IXFH160N15T | IXFH160N15T2 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | IXFH15 | IXFH15 | IXFH160 | IXFH160 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 600 V | 150 V | 150 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6.5V @ 1mA | 4.5V @ 4mA | 5V @ 1mA | 4.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 97 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 160 nC @ 10 V | 253 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Tc) | 15A (Tc) | 160A (Tc) | 160A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5140 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 8800 pF @ 25 V | 15000 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 760mOhm @ 500mA, 10V | 500mOhm @ 500mA, 10V | 9.6mOhm @ 500mA, 10V | 9mOhm @ 80A, 10V |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | TrenchHV™ | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| 電力消費（最大） | 543W (Tc) | 300W (Tc) | 830W (Tc) | 880W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
IXFH15N100P - IXYSのIXFH15N100P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFH15N60IXYSMOSFET N-CH 600V 15A TO-247ADIXFH160N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 160A TO247ADIXFH160N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 160A TO247ADIXFH16N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 16A TO247ADIXFH14N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 14A TO247ADIXFH150N20IXYS / LittelfuseIXFH150N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 150A TO247ADIXFH15N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 15A TO247ADIXFH15N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 15A TO247ADIXFH15N80IXYSMOSFET N-CH 800V 15A TO247ADIXFH150N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 150A TO247IXFH15N100Q3IXYSMOSFET N-CH 1000V 15A TO247ADIXFH150N17TIXYSMOSFET N-CH 175V 150A TO247ADIXFH150N17T2IXYSMOSFET N-CH 175V 150A TO247ADIXFH14N80IXYSMOSFET N-CH 800V 14A TO247ADIXFH14N100Q2IXYSMOSFET N-CH 1000V 14A TO247ADIXFH15N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 15A TO247ADIXFH150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO247AD| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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