IXFH140N10Pの技術仕様
IXYS - IXFH140N10P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFH140N10P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD (IXFH) | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 70A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4700 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 140A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFH140 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはIXYS IXFH140N10Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFH140N10P | IXFH13N100 | IXFH13N80 | IXFH14N80 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 基本製品番号 | IXFH140 | IXFH13 | IXFH13 | IXFH14 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 70A, 10V | 900mOhm @ 500mA, 10V | 800mOhm @ 500mA, 10V | 700mOhm @ 500mA, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 1000 V | 800 V | 800 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | 4.5V @ 4mA | 4.5V @ 4mA | 4.5V @ 4mA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4700 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V | 4200 pF @ 25 V | 4870 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 140A (Tc) | 12.5A (Tc) | 13A (Tc) | 14A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 155 nC @ 10 V | 155 nC @ 10 V | 155 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IXFH140N10P - IXYSのIXFH140N10P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFH13N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247ADIXFH150N20IXYS / LittelfuseIXFH13N80IXYSMOSFET N-CH 800V 13A TO247ADIXFH12N50IXYS / LittelfuseIXFH14N80IXYSMOSFET N-CH 800V 14A TO247ADIXFH13N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 13A TO247ADIXFH150N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 150A TO247IXFH150N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 150A TO247ADIXFH12N50FIXYSMOSFET N-CH 500V 12A TO247IXFH12N90PIXYSMOSFET N-CH 900V 12A TO247ADIXFH150N17T2IXYSMOSFET N-CH 175V 150A TO247ADIXFH12N90IXYSMOSFET N-CH 900V 12A TO247ADIXFH13N50IXYSMOSFET N-CH 500V 13A TO247ADIXFH150N17TIXYSMOSFET N-CH 175V 150A TO247ADIXFH14N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 14A TO247ADIXFH13N90IXYSMOSFET N-CH 900V 13A TO247ADIXFH14N100Q2IXYSMOSFET N-CH 1000V 14A TO247ADIXFH150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO247AD| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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