IXFE44N50QD3の技術仕様
IXYS - IXFE44N50QD3技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFE44N50QD3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™, Depletion | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 22A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 400W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 39A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFE44 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFE44N50QD3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFE44N50QD3 | IXFE39N90 | IXFH102N15T | IXFE44N50Q |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | 5V @ 8mA | 5V @ 1mA | 4V @ 4mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 22A, 10V | 220mOhm @ 19.5A, 10V | 18mOhm @ 500mA, 10V | 120mOhm @ 22A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | IXFE44 | IXFE39 | IXFH102 | IXFE44 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | TO-247AD (IXFH) | SOT-227B |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8000 pF @ 25 V | 13400 pF @ 25 V | 5220 pF @ 25 V | 7000 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 39A (Tc) | 34A (Tc) | 102A (Tc) | 39A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 900 V | 150 V | 500 V |
| 電力消費（最大） | 400W (Tc) | 580W (Tc) | 455W (Tc) | 400W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 190 nC @ 10 V | 375 nC @ 10 V | 87 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HiPerFET™, Depletion | HiPerFET™ | HiPerFET™, Trench | HiPerFET™, Q Class |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IXFE44N50QD3 - IXYSのIXFE44N50QD3 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFE39N90IXYSMOSFET N-CH 900V 34A SOT227BIXFH102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO247ADIXFE44N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 39A SOT-227BIXFE180N20IXYSMOSFET N-CH 200V 158A SOT227BIXFH10N100IXYSMOSFET N-CH 1KV 10A TO-247ADIXFE48N50QD3IXYSMOSFET N-CH 500V 41A SOT-227BIXFE34N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 30A SOT227BIXFE36N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 33A SOT227BIXFE48N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 41A SOT-227BIXFE44N60IXYSMOSFET N-CH 600V 41A SOT-227BIXFE23N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 21A SOT227BIXFE44N50QD2IXYSMOSFET N-CH 500V 39A SOT-227BIXFH10N90IXYSMOSFET N-CH 900V 10A TO247ADIXFH110N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 110A TO247ADIXFH10N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 10A TO247ADIXFE73N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 66A SOT-227BIXFE48N50QD2IXYSMOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
IXFC80N08IXYSMOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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